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　　得益于片对片结构，隔阂表现出快速的离子/电子搬运，可以支撑快速的氧化复原反响。笔直有序的ZnIn2S4缩短了锂离子的分散途径，不规则曲折的纳米片暴露出更多的活性位点，然后有效地锚定多硫化锂（LiPS）。更重要的是，Vs的引进调理了ZnIn2S4的外表或界面电子结构，增强了对LiPS的化学亲和力，一起加快了LiPS的转化反响动力学。正如预期的那样Vs-ZIS@RGO改性隔阂在0.5C下的初始放电容量为1067 mA h g−1。即便在1C下，也能取得优异的长循环稳定性（500次循环710 mA h g–1），每个循环的超低衰减率为0.055%。这项作业提出了一种规划富含硫空位的片对片结构的战略，为合理规划经用高效的LSB供给了一个新的视角。

　　图7、Li2S6在（a）ZIS和（b）Vs-ZIS（102）外表上的优化装备示意图。（c） 根据Vs-ZIS在LiPS上的化学吸赞同催化转化的协同机制。

　　综上所述，经过在RGO外表原位成长片状ZnIn2S4，规划了一种具有丰厚硫空位的新式片对片结构。得益于热处理过程中取得的丰厚Vs，改性隔阂不只提高了对LiPSs的化学亲和力，并且加快了LiPSs转化反响动力学。这项作业提出了一种规划具有丰厚硫空位的片对片结构的战略，这为合理规划经用高效的LSB供给了一个新的视角。