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　　高质量、大规模和单晶晶圆级石墨烯薄膜的取得是电子、光学和传感器范畴要害设备使用的根底。组成决议未来：开释这些新式资料的悉数潜力在很大程度上依赖于它们以可扩展的方法可控组成，迄今为止，这绝非易事。

　　有鉴于此，北京大学刘忠范院士和苏州大学孙靖宇教授等人，总述了化学气相堆积法(CVD)制备晶圆级石墨烯薄膜的最新开展，并对其首要应战和研讨现状进行了评述。特别是，在对 CVD 过程中反响动力学和气相动力学的评论的根底上，要点介绍了现在盛行的组成战略。

　　1）基本上，晶圆的尺度保证了石墨烯进入半导体出产线，而经过CVD批量组成石墨烯是实践使用的要害先决条件。首要，现已阐明晰晶圆级石墨烯薄膜在质量和兼容性要求等使用中的具体要求。整体而言，这三种组成战略仍存在要害应战。例如，缺点的存在，特别是褶皱，少层和多层操控生长和搬运相关的问题是现在的首要问题。晶界和不均匀石墨烯层的出现以及低生长速率也是亟待处理的问题。生长和蚀刻过程中不行再生的金属薄膜、不行避免的金属残留以及很多缺点仍然是严峻的应战。

　　2）组成决议了未来，假如可以以具有本钱效益和质量可控的方法完成晶圆级石墨烯出产，那么相应的技能极有可能发生革命性的改变。虽然在晶圆级石墨烯薄膜的可控组成方面取得了相当大的开展，但仍需求继续的重视。晶圆级石墨烯组成道路的开展方向和远景：a）互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的晶圆级石墨烯薄膜的组成。b) 在无定形二氧化硅晶片上直接生长石墨烯。c) 可控组成富含缺点的晶圆级石墨烯薄膜。

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